（爱云资讯消息）据报道，台积电与英伟达合作开发采用先进芯片封装技术的下一代图形处理器（GPU）。这一合作预计将在英伟达即将推出的Rubin架构中发挥重要作用，据传Rubin架构将是当前Blackwell架构的继任者。

向基于芯粒的设计转变，标志着对传统单片GPU架构的重大革新，可带来性能、可扩展性和成本效益的全面提升。芯粒技术使制造商将多个较小的半导体晶片集成到单个封装中，既能提高良率又能降低生产成本。

这种设计方式在半导体行业日益受到青睐，特别是在芯片设计日趋复杂、传统制程工艺面临瓶颈的当下。通过借助台积电先进的制造工艺，英伟达有望显著提升其下一代GPU的能效比与运算性能，使其特别适用于人工智能、数据中心及高性能计算等领域。

业内传闻称，英伟达Rubin GPU将采用台积电升级版N3P制程节点量产。作为台积电3纳米技术的优化版本，N3P工艺相比前代产品在性能表现、能效比和晶体管密度方面均有提升。该制程专为最大化发挥芯粒架构优势而设计，或将助力英伟达在保持能耗效率的同时进一步突破GPU性能极限。

为充分发挥芯粒架构GPU的性能潜力，英伟达还将采用台积电先进封装技术，包括SoIC（集成芯片系统）。该技术通过芯片垂直堆叠，不仅能提升能效表现，还可降低GPU内部各芯粒间的通信延迟——AMD早在数年前就已在3D V-Cache处理器中应用类似设计。

据业内消息，台积电正加速提升SoIC产能，计划在2025年底前实现规模化扩张。据国外科技媒体透露，英伟达即将推出的Rubin系列将采用SoIC设计，并搭配HBM4高带宽内存。据传Vera Rubin NVL144平台将搭载双掩模尺寸晶片的Rubin GPU，FP4运算性能高达50PFLOPs，配备288GB新一代HBM4内存；而旗舰款NVL576型号预计采用四掩模尺寸晶片的Rubin Ultra GPU，FP4性能突破100PFLOPs，更通过16组HBM堆栈集成1TB HBM4e内存。