（文/观察者网 吕栋 编辑/张广凯）

“长江存储实现了对三星的技术专利许可，这对于一直在坚持自主研发的中国科技企业而言，无疑是又一次重大鼓舞。”行业媒体如此评价称。

2月24日，韩国媒体ZDNet Korea独家报道称，三星电子近日与中国存储芯片厂商长江存储签署了专利许可协议，将从后者获得3D NAND“混合键合”专利，该专利是一种将晶圆和晶圆直接键合的尖端封装技术。

三星电子作为存储芯片行业的领头羊，从中国企业获得专利授权比较罕见。这家韩媒直言，由于工艺流程问题，三星难以规避中国企业的专利，获取授权是必然，未来的竞争可能会非常激烈。

观察者网就该报道联系长江存储方面，对方暂未置评。

从韩媒报道来看，三星此次获取长江存储专利授权，将主要用于下一代（V10）闪存芯片开发上，这代芯片计划于今年下半年量产，堆叠层数将达到420层-430层。为了让V10芯片尽快量产，三星引入了多项新技术，晶圆和晶圆之间的混合键合“至关重要”。

长江存储128层NAND闪存

三星之所以这么看重这项技术，是因为“混合键合”技术省去了传统芯片连接所需的凸块，缩短了电路，并提高了存储性能和散热特性，“特别是晶圆之间的混合键合，它键合的是整个晶圆而不是芯片，在提高生产效率方面也具有优势”。

与三星相比，长江存储是一个后起之秀，2016年成立于武汉，至今不到10年。彼时，存储芯片行业已经是成熟市场，三星、SK海力士、美光等巨头占据了大部分市场份额。对于后来者而言，要想长久发展，首要目标并不是快速抢市场，而是要确保技术专利的合规。

如果技术专利上出了问题，甚至被行业巨头找上麻烦，将影响企业的长期发展，甚至危及生存，福建晋华和美光的专利侵权纠纷就是一个典型例子，一度导致福建晋华的运营停摆。

也正是提前考虑了这一点，长江存储在成立之初获得国家大基金投资的同时，国家也对长江存储所从事的3D NAND技术研发生产，进行了全面专利预警工作。

2016年，由国家知识产权局专利分析和预警领导小组办公室组织，专利审查协作湖北中心骨干力量承担的专题《三维NAND型存储器关键技术专利分析和预警》启动，报告详细分析了三维NAND型存储器的关键技术、全球专利布局情况以及主要企业的竞争态势，建议国内企业建立风险预警机制，对海外存储寡头和国外研究机构的高风险专利保持警觉。

2017年8月，武汉东湖高新区管委会召开三维NAND存储器产业知识产权项目报告会暨存储器产业专利导航预研会，政府机构和长江存储等相关负责人参加，要求认真做好专利预警和专利布局等专利导航工作。

根据长江存储官网介绍，2017年10月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款3D NAND闪存。2019年9月，搭载长江存储自主创新Xtacking® 架构的第二代TLC 3D NAND闪存正式量产。2020年4月，长江存储宣布第三代TLC/QLC两款产品研发成功，其中X2-6070型号作为首款第三代QLC闪存，拥有发布之时业界最高的I/O速度，最高的存储密度和最高的单颗容量。

长江存储自研Xtacking技术

观察者网当时（2020年4月）还报道过，长江存储跳过96层，成功研发基于Xtacking 2.0的128层QLC3D NAND闪存，短短3年实现从32层到64层再到128层的跨越。

从这次韩媒的报道看，在那个时期，长江存储就已经在积极应用3D NAND混合键合技术，并将其命名为“Xtacking”。该公司还在业务初期通过许可协议，从美国科技公司Xperi获得了与混合键合相关的原始专利，长期积累了大量与NAND键合相关的自有专利。

随着闪存芯片堆叠层数进入400层，如何保证芯片的性能可靠和生产效率成为难题，三星等存储巨头在生产制造中，似乎也不得不使用混合键合技术，也就避不开长江存储的专利。

韩媒援引知情人士称，Xperi、长江存储和台积电这三家公司，实际上拥有了与混合键合相关的大部分技术专利，三星电子也是在判断其在V10、V11和V12等未来代际的NAND芯片开发中，几乎不可能避开长江存储的专利的情况下，签订了许可协议。

调研机构TechInsights的崔正东分析称：“从V10开始，三星电子开始采用三重堆叠技术，将电路分为三层，并使用混合键合技术，总共使用两个晶圆。由于存在许多变化，例如工艺转换和新设施投资，因此与长期采用混合键合的长江存储相比，制造成本必然会高得多。”

三星电子开发的V9代闪存芯片

存在类似情况的还有SK海力士，它跟三星两家占据了全球50%以上的闪存市场份额。这家韩国巨头计划在今年底量产400层NAND闪存，并在明年上半年大规模生产，该公司高管明确提到，将在400层NAND产品中使用混合键合技术，来提高成本效率和量产。

在韩媒看来，长江存储通过在混合键合领域的长期积累，技术已经领先，该公司近期使用“Xtacking 4.x”版本实现270层高密度NAND的商业化（SK海力士去年底量产“全球最高”321层NAND闪存）。

“长江存储的2yy NAND芯片（预计270层），是我们在市场上发现的密度最高的NAND，更重要的是，它是业内第一个实现超过20Gb/mm2位密度的NAND。”TechInsights在报告中写道。

截至目前，长江存储专利申请数量超过1万件。正如前文所言，对于长江存储、长鑫存储这种新兴之秀而言，积累专利不仅是为了推进技术，更为了在专利战中进行防御。

2023年11月8日，长江存储以八件专利起诉美光之后，又在2024年7月追加了11件专利的起诉，两案并案处理。有专利媒体撰文称，长江存储敢于在美国主动起诉美光，开创了中国企业的先河，也显示出对于自主技术的自信。截至目前，可检索到的美光已经对长江存储的20件专利，发起了22次的无效挑战IPR（多方复审）。不难看出，这种密度的纠纷，也开创了中国企业和美国企业在专利战场上较量的一个新纪录。

对于中国科技创新而言，长江存储十年磨一剑的技术突破无疑令人振奋。在核心技术逐步追上甚至领先行业巨头之后，如何提升产能也成为长江存储的关键问题，这对能否改写行业格局也至关重要。